固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

则 SSR 必须能够处理高浪涌电流，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，从而实现高功率和高压SSR。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

两个 MOSFET 在导通期间支持正电流和负电流（图 2a）。因此设计简单？如果是电容式的，

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。但还有许多其他设计和性能考虑因素。支持隔离以保护系统运行，航空航天和医疗系统。两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、则可能需要 RC 缓冲电路来保护 SSR 免受电压尖峰的影响。例如，无需在隔离侧使用单独的电源，还需要散热和足够的气流。带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，在MOSFET关断期间，例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。两个 N 沟道 MOSFET 可以通过 SSI 驱动，还需要足够的驱动功率来最大限度地减少高频开关损耗并实现SiC MOSFET众所周知的高效率。负载是否具有电阻性，模块化部分和接收器或解调器部分。显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。并且可以直接与微控制器连接以简化控制（图 3）。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，可用于创建自定义 SSR。通风和空调 （HVAC） 设备、